НИИ полупроводниковых приборов, ОАО

634034, Россия, г. Томск, ул. Красноармейская, 99 а
+7 (3822) 55-66-96
+7 (3822) 55-50-89

Разработка и производство: электронных компонентов на основе кремния, арсенида галлия и его соединений; заказных монолитных и гибридно-монолитных GaAs интегральных схем СВЧ диапазона;
эпитаксиального арсенида галлия и его соединений;
изделий полупроводниковой светотехники;
солнечных модулей, батарей, мини-электростанций и пр.;
детекторов ионизирующего излучения;
изделий медицинской техники.
Продукция: СВЧ диоды, в т.ч. диоды Ганна, балансные смесители СВЧ, приёмо-передающие модули СВЧ; генераторы, умножители; изделия солнечной энергетики и полупроводниковой светотехники, LED-лампы; эпитаксиальные арсенидо-галлиевые плёнки; аппараты фотомагнитотерапии, цветомагнитотерапии и психоэмоциональной коррекции и др.