НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМ. Ф.В. ЛУКИНА, ФГУП, ЦЕНТР КОЛЛЕКТИВНОГО ПОЛЬЗОВАНИЯ "СИНХРОТРОН"

124460, Москва, Зеленоград, Проезд 4806, д. 6
+7 (495) 531-13-06
+7 (495) 536-19-16
+7 (495) 531-55-92

Центр коллективного пользования "Синхротрон" (ЦКП "СИНХРОТРОН") создан на базе нескольких
лабораторий федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский
институт физических проблем им. Ф.В. Лукина"
Положение о ЦКП утверждено 18 января 2001 года.
ТЕМАТИКА ИССЛЕДОВАНИЙ
Исследования в области микроэлектроники, наноэлектроники и нанотехнологии, физической метрологии,
микромеханики, композиционных и биосовместимых (полимерные имплонтанты) материалов и
технологий их получения; металлургии и материаловедения.
ОСНОВНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ ИССЛЕДОВАНИЙ
1. Масштабирование: разработка самосовмещенной микроэлектронной технологии суб- и нанометрового диапазона.
2. Разработка микроэлектронной технологии элементной базы нового поколения на основе углеродных
нанотрубок (УНТ) и алмазных мембран.
3. Биосовместимые материалы: разработка радиационно-стимулированных стимулированных
технологий формирования микро- и наноструктурированных материалов и покрытий для
трансплантационной хирургии.
4. Нанометрология: разработка методов аттестации и способов увеличения времени жизни кантилеверов АСМ.
5. Метрология: разработка технологии изготовления эталонов напряжения повышенной точности (10 -9 В)
на основе эффекта Джозефсона.
6. Катализаторы: разработка технологии изготовления мембранных наномодифицированных
катализаторов для переработки вторичного сырья в промышленных масштабах.
ОКАЗЫВАЕМЫЕ УСЛУГИ
Исследование топографии поверхности методами профилометрии, оптической, растровой электронной
и атомно-силовой микроскопии; измерение линейных размеров элементов субмикронного и
нанометрового диапазона; измерение элементного состава широкого спектра материалов и профилей
концентрации водорода, фосфора, бора, сурьмы натрия в кремнии, в окисле кремния и в других
материалах; исследование поведения примесей атомов на границе эпитаксиального слоя кремния;
измерение профиля распределения Si, Al, Zn в GaAs; исследование распределения бора и фосфора в
готовых изделиях на основе кремния и других материалов; исследование профиля распределения
элементного состава по толщине пленок AlxGa1-xAs в зависимости от температурного режима
техпроцесса их получения; контроль процессов ионной имплантации кремниевых подложек ионами
бора, фосфора, фторида бора; исследование автоэлектронной эмиссии углеродных трубок и
вторичной электронной эмиссии структурированных алмазных плёнок.
ОБОРУДОВАНИЕ
1. Растровый электронный микроскоп CAMSCAN - S4 с энергодисперсионной приставкой INCA ENERGY 350 (Саmbrige, Англия).
2. Растровый электронный микроскоп STEREOSCAN - 360 (Саmbrige, Англия).
3. Вторично-ионный масс-спектрометр ВИМС, IMS 4f (CAMECA, Франция).
4. Растровый Оже-микроанализатор PHJ-660 (PERKIN ELMER, США).
5. Рамановский спектрометр U-1000 (JOBIN YVON, США).
6. Профилометр ALPHA-STEP 200 (Tencor Instruments, США).
7. Высоковакуумный сканирующий зондовый микроскоп Solver HV (NT-MDT, Россия). Сканирующий
зондовый микроскоп Solver Pro - M (NT-MDT, Россия).
8. Комплект оборудования для разработки технологии наноэлектронных устройств на основе
углеродных нанотрубок и алмазных пленок "Алмаз" (ОАО "Научно-исследовательский институт точного
машиностроения", Россия).
9. Лазерный сканирующий микроскоп LSM - 30 (Opton, Германия).
10. Оптическая система для измерения угла смачивания CAM 101 Optical Contact Angle Systems (RSV Instru-
ments Ltd, Финляндия).