НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, ФГУП

Россия, 634034, г. Томск, ул. Красноармейская, 99а
(382-2) 55-66-96
(382-2) 55-50-89

Имеет собственную материаловедческую базу, обладает технологией создания изделий на основе полупроводниковых материалов Si, GaAs, позволяющими проводить разработки на основе передовых технологий с применением электронной литографии, плазмохимических процессов и т. п. Разработанные изделия СВЧ-, оптоэлектроники, микроэлектроники, радиоэлектроники, товаров народного потребления и медицинской электроники обладают конкурентоспособностью на внутреннем и внешних рынках.